IXFN50N120SK MOSFET MOD.48A 1200V N-CH SOT227B SILICON CARBIDE

IXFN50N120SK MOSFET MOD.48A 1200V N-CH SOT227B SILICON CARBIDE Açıklaması

IXFN50N120SK MOSFET MOD.48A 1200V N-CH SOT227B SILICON CARBIDE IXYS tarafından üretilen IXFN50N120SK, mosfet mod.48a 1200v n-ch sot227b silisyum karbür için tasarlanmış yüksek performanslı bir MOSFET modülüdür. Yüksek güçlü uygulamalar için mükemmel performans ve güvenilirlik sağlar. MOSFET, 48A akım değerini ve 1,2kV voltaj değerini destekler ve 40m Ohm'luk düşük bir dirençle verimli çalışmayı sağlar. N/A'ya kadar güç dağıtımını karşılayabilir, bu da onu zorlu ortamlar için ideal kılar. Ters toparlanma süresi 54ns olup hızlı geçişe olanak sağlar. -40°C~+150°C sıcaklık aralığında çalışarak çeşitli koşullarda sağlam performans sunar. Rohs uyumlu bir ürün olarak katı çevre standartlarını karşılar. Tüp formatında paketlenmiş olup, güvenli kullanım ve depolama sağlar. Gelişmiş özellikleri ve dayanıklı tasarımıyla IXFN50N120SK, yüksek kaliteli modül MOSFET çözümleri arayan profesyoneller için mükemmel bir seçimdir.

IXFN50N120SK MOSFET MOD.48A 1200V N-CH SOT227B SILICON CARBIDE Teknik Özellikleri

• Manufacturer: IXYS
• MountingType: Chassis
• Package  /Case: SOT227B (Minibloc)
• Technology: HiPerFET
• FetType: N-CH
• Current(25°C): 48A
• Voltage: 1.2kV
• RdsOn: 40m Ohms
• PowerDissipation:
• Trr: 54ns
• Configuration: Single
• Applications:
• OperatingTemperature: -40°C~+150°C
• Rohs: ROHS
• Packaging: TUBE

---

Ürün datasheet'i için tıklayınız.